アプリケーション

Fracture

Fractureはジョブデックを含む入力データに対して各種描画機に適した図形分割 (フラクチャリング) とフォーマット変換を行います。
また論理演算やサイジングなど様々な処理を実施することができます。他のNDEアプリケーションと連携することでより高度な処理をシームレスに実行することもできます。

MRC

MRCはMask (または Manufacturability) Rule Checkの略で、マスクの製造ルールチェックを行います。ルールに合致した箇所を検出することで予め問題となる箇所を特定することができます。また MRCエンジンの持つ抽出機能を用いてスキャッタリングバー (SB) などの特定パターンを抽出することができます。Fractureと組み合わせることで抽出した特定パターンのみに特殊処理を実施することも可能です。

Select

Selectは与えられた条件に合致するパターンを選択して新しいパターンデータを生成します。レイヤ合成とも言われます。Fractureエンジンと組み合わせて利用します。

Pattern-Match

Pattern-Matchはテンプレートにマッチする図形群を抽出します。テンプレートはEBVで表示したデータから作成することができます。
Pattern-Matchはミラー、回転、スケールによる変形や、OPCなどによる形状の違いを考慮したマッチングができます。更に、テンプレート作成時に測長情報を付加することで、マッチングと測長を同時に行うことができます。Fractureと組み合わせることでマッチングで抽出した特定パターンのみに特殊処理を実施することも可能です。

SCRD

SCRDはマスク描画におけるショット数削減を実現するアプリケーションです。近年、パターンの微細化に伴ってマスク描画時間が増大していることからフラクチャリング前のデータ最適化として注目を集めています。SCRDには二つのアプリケーションがあり、従来のOPCが適用されたマンハッタンパターン向けのSCRD-R(Rectilinear)とILTが適用された曲線パターン向けのSCRD-C(Curvilinear)があります。

SCRD-R

SCRD-Rは電子ビーム描画による輪郭線の変形や描画ショットサイズを考慮してJog・Notch・Bumpといった箇所を消すことでショット数を減らします。

SCRD-C

SCRD-CはILTの曲線に沿って矩形を配置します。矩形配置はルールベースで行われます。従来のフラクチャリングによる矩形配置に比べてショット数を大きく減らすことができます。

MPC

MPCはMask Process Correctionの略で、主にエッチングによるマイクロローディング効果、および、電子ビームの前方散乱による近接効果をモデルベースで補正します。マスクのプロセス補正は、近年のパターン微細化やEUVマスクにおいて注目を集めています。MPCではこれらの現象をバイアスによって補正します。

MFM

MFM は Mask Fingerprint Mapping の略で、主にリソグラフィー・現像・エッチングによるグローバルローディング効果の予測モデルを作成します。また、予測モデルによりマスク面内の寸法変動マップを作成します。近年、パターンの微細化やマスクの大型化に伴いマスク面内の寸法均一性の要求が厳しくなっていることから、グローバル CD エラーの補正に注目が集まっています。MFM で作成した寸法変動マップを使用して、これから描画するレイアウトのグローバル CD エラーを補正することができます。

Global CD Error Model

EBV

EBVはジョブデックを含む様々なデータが表示可能なビューワです。高速、高精度、中間ファイルを使わない直接表示、同時に表示できるデータ数に制限が無い、等の特徴があります。測長や密度計算など表示したデータに様々な処理を実行することができます。また、オプションとして測長装置向けのレシピ作成に対応しています。