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PATACON PC-cluster PEC option
PATACON PC-clusterPEC optionfor EPLfor LEEPLfor EBDW

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近接効果補正(Proximity Effect Correction) PATACON PC-cluster

電子ビームリソグラフィにおける近接効果を補正します。近接効果とは、主にパターンの疎密により、パターンの線幅が変化してしまう現象のことを指します。

PATACON PC-cluster PEC optionでは、前方散乱補正機能、任意PSF設定機能、エネルギー検証機能、スポットビーム対応などにより、高精度な近接効果補正を提供します。(特許出願済)
PEC optionの特徴
1 Threshold Modelによる寸法変動モデル
蓄積エネルギーがある一定の閾値以上となる領域を解像するものとみなすモデルを用います。各パターンの外周のエネルギーが閾値に等しくなるようにビーム照射量を調整すれば、設計寸法通りのパターンを得ることができるというモデルです。
 
2 モデルベース補正
蓄積エネルギーの分布をシミュレーションし、その結果に基づいてパターンごとのビーム照射時間(ドーズ量)を調整します。パターン間の相互作用があるため、通常3-5回の繰り返しを行います。
3 細い線パターンでの精度の高さ
加速電圧100kVの描画機を用いた実証実験では、20nm-100nmの線幅で、5nm CDUを達成しました。
 
4 微小図形での精度の高さ
パターンが小さいために蓄積エネルギーが少なくなってしまう「自己近接効果」を補正します。

24nm 1:1 Hole Arrayパターンの解像に成功しました。

5 処理の規模に応じたパッケージ
大規模なデータは、PATACON PC-cluster上で動かすことで、高速に処理することができます。また、小規模な処理に対応したパッケージもございます。
 
6 Gray Scale PEC(開発中)
グレースケールリソグラフィに適応した、高速でシンプルな近接効果補正手法を研究しています。
20nm-100nm Line & Space の描画実験結果
20nm-100nm Line & Space の描画実験結果イメージ
24nm 1:1 Hole Array の描画実験結果
24nm 1:1 Hole Array の描画実験結果イメージ

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