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PATACON PC-cluster for EPL
PATACON PC-clusterPEC optionfor EPLfor LEEPLfor EBDW

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半導体のマスク設計データをEBステッパ用に変換 PATACON PC-cluster

PATACON PC-cluster for EPL は、半導体のマスク設計データをEB ステッパ用マスクの描画データに変換するためのソフトウエア製品です。

EBステッパ用マスクの構造に対応してパターンを配置するサブフィールド分割機能、 ステンシルマスク用コンプリメンタリ分割機能、 分割部分のつなぎ形状を変形させるスティッチング機能、近接効果補正機能、アライメントマーク挿入機能、露光条件パラメータ出力機能、ベリファイ機能などを持っています。
EPL処理の特徴
1 サブ・フィールド分割機能
EPLマスクは、サブフィールドと呼ばれるパターン配置領域がマイナーストラットと呼ばれる梁の部分に囲まれた構造をしています。このため設計データをサブフィールド境界で分割する必要があります。
このときサブフィールド境界にまたがる図形については、以下の様な分割を行います。
・ファジーバウンダリを使って不要な分割を回避します。
・微小図形や薄い図形が生じないよう分割します。
 
1 コンプリメンタリ分割機能
EPLマスクはステンシルマスクであるため、ドーナッツ形状のパターンは形成することが出来ません。また薄いメンブレン構造のため、細長いパターンやリーフパターン、大面積図形ではマスクが破損してしまう場合があります。このようなパターンについては、パターンを複数図形に分割して異なるメンブレンへ振り分けることによりマスク作成上の不都合を回避します。
3 スティッチング機能
サブフィールド分割、コンプリメンタリ分割でパターンが分割された部分に露光時に隙間が生じないように、つなぎ目部分に糊代用の補助図形を付加します。補助図形の形状として以下のものを用意しました。
(1) 台形(矩形) (2) 三角形 (3) 矩形近似三角形
(4) 凸凹 (5) 多段凸凹
 
4 近接効果補正機能
EBステッパは100KeVの高加速度電圧で露光を行うため、ウエハ上での近接効果補正が必要となります。また露光はSF単位に一括して行われるため、マスクバイアスによる補正が必要となります。以下のモデルベースの図形リシェープによる補正を行います。
(1) バイアス型 (2) セリフ型
・バイアス型は処理時間の短縮と出力データサイズの縮小を目的とします。
・セリフ型は高精度な補正を目的とします。
・スティッチング補助図形の影響も考慮して補正を行います。

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